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拉普拉斯获得发明专利授权：“一种掩膜层及其生长方法和应用”

来源：星测 2025-08-02 07:09:18

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证券之星消息，根据天眼查APP数据显示拉普拉斯新能源科技股份有限公司新获得一项发明专利授权，专利名为“一种掩膜层及其生长方法和应用”，专利申请号为CN202211412098.2，授权日为2025年7月29日。

专利摘要：本发明提供一种掩膜层及其生长方法和应用。所述生长方法包括：采用氧源和硅源在低压条件下进行外延生长，得到氧化硅掩膜层；所述低压的压力为15?25Pa。本发明通过使用硅源和氧源在低压条件下进行外延生长，制得了高质量氧化硅掩膜层，其氧化硅掩膜层的生长速率快，可缩短工艺时间；并且采用外延生长来沉积氧化硅掩膜层，不会与底部的结构产生反应，对钝化结构的性能可起到保护作用。

通过天眼查大数据分析，拉普拉斯新能源科技股份有限公司共对外投资了10家企业，参与招投标项目59次；财产线索方面有商标信息142条，专利信息665条，著作权信息8条；此外企业还拥有行政许可53个。

数据来源：天眼查APP

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