普冉股份获得发明专利授权：“金属层间通孔形成方法”

证券之星消息，根据天眼查APP数据显示普冉半导体(上海)股份有限公司新获得一项发明专利授权，专利名为“金属层间通孔形成方法”，专利申请号为CN202210057474.4，授权日为2025年8月5日。

专利摘要：本发明公开了一种金属层间通孔形成方法，在介质凹槽侧壁上保留一定厚度的绝缘层材料，在后续对介质凹槽及对应通孔实施金属层间介质一体化刻蚀时，由于介质凹槽侧壁有绝缘层材料残余的保护，介质凹槽的开口尺寸保持不变不会变大，同时也是介质凹槽侧壁的残余绝缘层材料的作用，通孔相对底层金属即使有移位也不会偏移出相应的位线的底层金属外面，不会因通孔移位造成的某一边的金属间距更小，避免相邻通孔之间出现金属短接风险，增加了底层金属的通孔区域的工艺窗口，增加了次工艺的窗口边距，从而提升了金属层间通孔形成工艺的健康度。

通过天眼查大数据分析，普冉半导体（上海）股份有限公司共对外投资了4家企业，参与招投标项目7次；财产线索方面有商标信息14条，专利信息187条，著作权信息1条；此外企业还拥有行政许可7个。

数据来源：天眼查APP

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