格力电器获得发明专利授权：“MOSFET器件及其制备方法”

证券之星消息，根据天眼查APP数据显示珠海格力电器股份有限公司新获得一项发明专利授权，专利名为“MOSFET器件及其制备方法”，专利申请号为CN202510529941.2，授权日为2025年8月5日。

专利摘要：本申请提供了一种MOSFET器件及其制备方法，该器件包括至少一个第一区域，包括第一掺杂区、第二掺杂区和第一体区，第一掺杂区位于外延层背离衬底一侧，第二掺杂区环绕第一掺杂区的外周，第一体区位于第二掺杂区靠近衬底的一侧，第一区域与MOSFET器件的源极接触；多个第二区域分布在第一区域的外周，第二区域包括外延区域、第三掺杂区和第二体区，第二体区环绕外延区域的外周，第三掺杂区位于第二体区背离外延区域的一侧，其中，第一体区与第二体区接触，第三掺杂区与第二掺杂区接触，第二区域与MOSFET器件的栅极结构接触，以解决现有技术中MOSFET器件导通电阻较大和面积不能优化的问题。

通过天眼查大数据分析，珠海格力电器股份有限公司共对外投资了101家企业，参与招投标项目28356次；财产线索方面有商标信息8147条，专利信息115713条，著作权信息297条；此外企业还拥有行政许可830个。

数据来源：天眼查APP

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