扬杰科技获得实用新型专利授权：“沟槽型SiC场效应晶体管”

证券之星消息，根据天眼查APP数据显示扬州扬杰电子科技股份有限公司新获得一项实用新型专利授权，专利名为“沟槽型SiC场效应晶体管”，专利申请号为CN202422397274.0，授权日为2025年8月5日。

专利摘要：沟槽型SiC场效应晶体管。涉及半导体技术领域。包括从下而上依次设置的SiC Sub层、SiC Drift层、P区、NP区、欧姆接触合金层和正面电极金属层；所述SiC Drift层上设有：N区，位于所述SiC Drift层的中部，从所述SiC Drift层的顶面向下延伸；Pwell区，从所述SiC Drift层的顶面向下延伸，并与所述N区连接；Pwell区的底面不高于N区的底面；PP区，从所述NP区的顶面向下延伸至N区内；栅氧化层，截面呈U形结构，从所述NP区的顶面向下延伸至SiC Drift层内；Poly层，填充在所述栅氧化层内；所述NP区顶面设有覆盖在栅氧化层和Poly层顶面的隔离介质层。本实用新型通流路径的沟道宽度增大，提高了SiC MOSFET器件的通流能力，饱和电流也得到提高。

通过天眼查大数据分析，扬州扬杰电子科技股份有限公司共对外投资了29家企业，参与招投标项目185次；财产线索方面有商标信息5条，专利信息742条，著作权信息4条；此外企业还拥有行政许可234个。

数据来源：天眼查APP

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