扬杰科技获得实用新型专利授权：“延长短路耐受时间的SiC晶体管”

证券之星消息，根据天眼查APP数据显示扬州扬杰电子科技股份有限公司新获得一项实用新型专利授权，专利名为“延长短路耐受时间的SiC晶体管”，专利申请号为CN202422402036.4，授权日为2025年8月5日。

专利摘要：延长短路耐受时间的SiC晶体管。涉及半导体技术领域。包括从下而上依次设置的SiC Sub层、SiC Drift层、N区、隔离介质层和正面电极金属层；所述SiC Drift层内设有从顶面向下延伸的P区；所述N区上设有：Pwell区，从所述N区的顶面向下延伸；NP区，从所述Pwell区的顶面向下延伸；栅氧化层，截面呈U形结构，从所述NP区的顶面向下延伸至P区内；Poly层，填充在所述栅氧化层内；所述隔离介质层的底面分别与NP区、栅氧化层和Poly层连接，侧部设有与所述NP区连接的正面欧姆接触合金层。本实用新型避免沟道底部拐角栅氧化层的提前击穿失效，提高了器件的使用可靠性。

通过天眼查大数据分析，扬州扬杰电子科技股份有限公司共对外投资了29家企业，参与招投标项目185次；财产线索方面有商标信息5条，专利信息742条，著作权信息4条；此外企业还拥有行政许可234个。

数据来源：天眼查APP

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