中微公司获得发明专利授权：“一种等离子体刻蚀方法”

证券之星消息，根据天眼查APP数据显示中微半导体设备(上海)股份有限公司新获得一项发明专利授权，专利名为“一种等离子体刻蚀方法”，专利申请号为CN202011606614.6，授权日为2025年8月8日。

专利摘要：本发明提供了一种等离子体刻蚀方法，通过电感耦合射频激发氟甲烷、氧气、含硫氧气体和溴化氢等混合气体，形成等离子体后在脉冲偏置射频的作用下，对由前置等离子体刻蚀成的高深宽比孔进行刻蚀，适用于包括介电层和导电层堆叠组成的高深宽比的孔底部氮化硅层的刻蚀，具有对掩膜层和二氧化硅层的高选择比，可以对掩膜的顶部和侧面生成保护沉积层，减弱等离子体对掩膜的消耗，同时，抑制二氧化硅层的分解，又能维持氮化硅的高速率刻蚀，有效抑制因介电层的损失量较大导致的漏电流的增大的风险，保证制得的电子器件安全运行。通过使用脉冲偏置射频，可以消除孔底部的带电粒子引起的小分子聚合物堆积，维持高速平稳的氮化硅刻蚀速率。

通过天眼查大数据分析，中微半导体设备（上海）股份有限公司共对外投资了29家企业，参与招投标项目67次；财产线索方面有商标信息98条，专利信息1535条，著作权信息13条；此外企业还拥有行政许可76个。

数据来源：天眼查APP

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