晶合集成获得发明专利授权：“一种半导体结构的制作方法”

证券之星消息，根据天眼查APP数据显示合肥晶合集成电路股份有限公司新获得一项发明专利授权，专利名为“一种半导体结构的制作方法”，专利申请号为CN202510811824.5，授权日为2025年8月12日。

专利摘要：本发明公开了一种半导体结构的制作方法，属于半导体技术领域，所述制作方法包括：提供一衬底，在衬底上依次形成垫氧化层和垫氮化层；蚀刻部分垫氧化层、垫氮化层和衬底，形成浅沟槽；在所述浅沟槽内沉积绝缘介质，第一次平坦化处理所述绝缘介质，绝缘介质与两侧的垫氮化层齐平；微刻蚀处理垫氮化层，形成微结构层，微刻蚀采用弱物理溅射方式；氧化处理垫氮化层，形成中间氧化层；等量去除中间氧化层和部分绝缘介质；重复微刻蚀处理、氧化处理以及等量去除步骤，直至去除所述垫氮化层；去除所述垫氧化层和部分所述绝缘介质。通过本发明提供的半导体结构的制作方法，能够避免在浅沟槽隔离结构的角边缘出现凹陷现象，提高半导体结构的性能。

通过天眼查大数据分析，合肥晶合集成电路股份有限公司共对外投资了9家企业，参与招投标项目630次；财产线索方面有商标信息52条，专利信息1215条，著作权信息7条；此外企业还拥有行政许可21个。

数据来源：天眼查APP

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