安培龙获得发明专利授权：“基于SOI的低零漂压力芯片高效制备方法及系统”

证券之星消息，根据天眼查APP数据显示深圳安培龙科技股份有限公司新获得一项发明专利授权，专利名为“基于SOI的低零漂压力芯片高效制备方法及系统”，专利申请号为CN202510736419.1，授权日为2025年8月15日。

专利摘要：本发明涉及芯片制备技术领域，揭露了一种基于SOI的低零漂压力芯片高效制备方法及系统，包括：分析现有制备材料对应的材料性能参数，从预设材料库中筛选出现有制备材料对应的协同制备材料；对压力芯片进行有限元仿真处理，得到压力芯片仿真模型，计算压力芯片仿真模型对应的结构挠曲度；配置压力芯片的模拟环境条件，计算压力芯片仿真模型对应的零点漂移离散度；计算出压力芯片仿真模型对应的芯片温漂系数；从协同制备材料和现有制备材料中确定压力芯片对应的高效制备材料，对芯片制备路径进行参数优化，得到低零漂制备路径，执行对压力芯片的制备处理，得到芯片成品。本发明可以提高SOI的低零漂压力芯片的制备效率。

通过天眼查大数据分析，深圳安培龙科技股份有限公司共对外投资了9家企业，参与招投标项目25次；财产线索方面有商标信息10条，专利信息106条，著作权信息1条；此外企业还拥有行政许可50个。

数据来源：天眼查APP

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