晶合集成获得发明专利授权：“半导体结构、半导体器件及制备方法”

证券之星消息，根据天眼查APP数据显示合肥晶合集成电路股份有限公司新获得一项发明专利授权，专利名为“半导体结构、半导体器件及制备方法”，专利申请号为CN202510831476.8，授权日为2025年8月15日。

专利摘要：本发明提供了一种半导体结构、半导体器件及制备方法。包括：提供衬底，并根据衬底制作功能层；在功能层表面制作虚栅；制作源极和漏极；虚栅包括第一、第二虚栅，第一虚栅的水平截面尺寸大于第二虚栅；在第一、第二虚栅上形成刻蚀停止层；制作层间介质层；对层间介质层执行第一化学机械研磨，露出刻蚀停止层；对刻蚀停止层执行第二化学机械研磨，露出第二虚栅；对第二虚栅执行选择性外延，在第二虚栅上形成补偿层；对补偿层和第一虚栅表面的刻蚀停止层执行第三化学机械研磨，使得补偿层和第一虚栅上的刻蚀停止层被同时去掉，露出第一、第二虚栅。采用该半导体结构的制备方法制备得到第一、第二虚栅周围的层间介质层、刻蚀停止层的厚度相近。

通过天眼查大数据分析，合肥晶合集成电路股份有限公司共对外投资了9家企业，参与招投标项目630次；财产线索方面有商标信息52条，专利信息1219条，著作权信息7条；此外企业还拥有行政许可21个。

数据来源：天眼查APP

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