兆易创新获得发明专利授权：“SRAM阵列检测方法及SRAM阵列检测装置”

证券之星消息，根据天眼查APP数据显示兆易创新科技集团股份有限公司新获得一项发明专利授权，专利名为“SRAM阵列检测方法及SRAM阵列检测装置”，专利申请号为CN202610930642.4，授权日为2026年10月23日。

专利摘要：本发明涉及一种SRAM阵列检测方法及一种SRAM阵列检测装置。所述SRAM阵列检测方法和所述SRAM阵列检测装置中，对芯粒中的SRAM阵列进行电流测试，得到从连接NMOS晶体管体区的第一节点流出的第一电流以及所述第一电流与从连接下拉晶体管的源极的第二节点流出的第二电流之比中的至少一个，根据所述电流测试的结果，判断所述第一电流以及所述第一电流与所述第二电流之比中的至少一个是否位于表示高老化风险的范围，若是，判定相应的SRAM阵列具有高老化风险，便于筛选出器件晶圆上SRAM阵列具有高老化风险的芯粒，不仅可以提高经过筛选的芯粒的可靠性，还可以降低生产过程中对于增大SRAM阵列老化余量的需求，有助于增大工艺窗口和生产良率。

通过天眼查大数据分析，兆易创新科技集团股份有限公司共对外投资了27家企业，参与招投标项目35次；财产线索方面有商标信息122条，专利信息1506条，著作权信息40条；此外企业还拥有行政许可8个。

数据来源：天眼查APP

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