晶合集成获得发明专利授权：“半导体结构、制备方法及提高器件载流子迁移率的方法”

证券之星消息，根据天眼查APP数据显示合肥晶合集成电路股份有限公司新获得一项发明专利授权，专利名为“半导体结构、制备方法及提高器件载流子迁移率的方法”，专利申请号为CN202610249024.3，授权日为2026年10月23日。

专利摘要：本发明公开了一种半导体结构、制备方法及提高器件载流子迁移率的方法，属于半导体技术领域。本发明通过先对半导体衬底进行刻蚀，以形成若干第一沟槽，再在第一沟槽的侧壁形成用于提高第一区域或第二区域载流子迁移率的半导体应力材料层，得到第二沟槽，然后在第二沟槽内填充绝缘材料，形成STI结构。本发明不会对半导体结构的STI后续制程产生影响，可以随意搭配后续制程的硅应力技术如嵌入式源漏技术或SMT或DSL技术等，从而起到双重叠加或多重叠加的效果，能够大幅提升NMOS、PMOS器件的载流子迁移率，提升器件速度。

通过天眼查大数据分析，合肥晶合集成电路股份有限公司共对外投资了12家企业，参与招投标项目663次；财产线索方面有商标信息76条，专利信息1871条，著作权信息14条；此外企业还拥有行政许可36个。

数据来源：天眼查APP

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