晶合集成获得发明专利授权：“一种Fin FET器件及其制造方法”

证券之星消息，根据天眼查APP数据显示合肥晶合集成电路股份有限公司新获得一项发明专利授权，专利名为“一种Fin FET器件及其制造方法”，专利申请号为CN202611147204.7，授权日为2026年10月27日。

专利摘要：本申请公开了一种Fin FET 器件及其制造方法，Fin FET 器件包括：半导体衬底；位于半导体衬底上的鳍形结构，鳍形结构包括第一部分以及位于第一部分下方的第二部分；STI结构，位于相邻的第二部分之间；栅叠层结构，横跨第一部分，分别与第一部分的侧壁和顶部接触；以及源区和漏区，位于第一部分，且位于栅叠层结构两侧；其中，所述栅叠层结构包括栅极电介质和栅极导体，栅极电介质包括具有第一厚度的第一栅极电介质和具有第二厚度的第二栅极电介质，第二栅极电介质覆盖第一部分的顶部表面和第一部分的上部侧壁；第一栅极电介质覆盖第一部分的下部侧壁，第二厚度大于第一厚度。

通过天眼查大数据分析，合肥晶合集成电路股份有限公司共对外投资了12家企业，参与招投标项目663次；财产线索方面有商标信息76条，专利信息1871条，著作权信息14条；此外企业还拥有行政许可36个。

数据来源：天眼查APP

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