扬杰科技获得发明专利授权：“一种提升SIC功率器件短路鲁棒性的结构及制造方法”

证券之星消息，根据天眼查APP数据显示扬州扬杰电子科技股份有限公司新获得一项发明专利授权，专利名为“一种提升SIC功率器件短路鲁棒性的结构及制造方法”，专利申请号为CN202311405648.2，授权日为2026年11月3日。

专利摘要：一种提升SIC功率器件短路鲁棒性的结构及制造方法。涉及功率半导体技术领域。包括以下步骤：步骤001，提供一种N型重掺杂类型的衬底，即为N+型SiC半导体衬底，掺杂浓度为360~400um，掺杂浓度为1e19 cm?2；N+型衬底具有两个表面，分为正面与背面，在正面形成一层N型缓冲层，厚度为0.8~1um，掺杂浓度为1e18 cm?2；在N型缓冲层覆盖N型轻掺杂类型的漂移层，即为N?型漂移层，厚度为5~15um，掺杂浓度为5e15~1e16 cm?2,背面形成金属电极层；步骤002，在漂移层的表面通过光刻掩膜，进行P型掺杂形成P?Well阱区；本发明制作工艺简单，效果显著，可以应用于新型碳化硅MOSFET功率器件的制造。

通过天眼查大数据分析，扬州扬杰电子科技股份有限公司共对外投资了28家企业，参与招投标项目393次；财产线索方面有商标信息9条，专利信息817条，著作权信息6条；此外企业还拥有行政许可252个。

数据来源：天眼查APP

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