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乾照光电获得发明专利授权:“一种LED外延结构及其制备方法”

证券之星消息,根据天眼查APP数据显示厦门乾照光电股份有限公司新获得一项发明专利授权,专利名为“一种LED外延结构及其制备方法”,专利申请号为CN202311840853.1,授权日为2026年11月3日。

专利摘要:本发明提供了一种LED外延结构及其制备方法,通过设置所述有源层包括通过隧穿结串联的若干个量子阱结构,所述隧穿结包括沿第一方向依次堆叠的P型高掺半导体层、中间层以及N型高掺半导体层,所述P型高掺半导体层与所述N型高掺半导体层作为形成隧穿结的本体,且所述中间层用于在所述隧穿结内构建二次电场。基于此,当电子从N型半导体层进入有源层与空穴复合时,在隧穿结强大的内建电场的作用下,电子沿第一方向逐步转移至后续的量子阱结构中,实现电子和空穴的重复利用,并发生二次辐射复合;如此通过隧穿结串联的多个量子阱结构,可多次实现电子和空穴的重复利用,以产生更多的光子。

通过天眼查大数据分析,厦门乾照光电股份有限公司共对外投资了17家企业,参与招投标项目46次;财产线索方面有商标信息23条,专利信息591条,著作权信息2条;此外企业还拥有行政许可31个。

数据来源:天眼查APP

以上内容为证券之星据公开信息整理,不构成投资建议。

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