华微电子获得实用新型专利授权：“一种短沟道的IGBT”

证券之星消息，根据天眼查APP数据显示吉林华微电子股份有限公司新获得一项实用新型专利授权，专利名为“一种短沟道的IGBT”，专利申请号为CN202522452047.8，授权日为2026年11月10日。

专利摘要：本实用新型属于但不限于半导体功率器件技术领域，公开了一种短沟道的IGBT；所述IGBT上层为P?结，阱区，采用离子注入B硼注入；下层为材料外延层N?电荷漂移区；所述IGBT形成多个独立的腔室；每个腔室内壁设有栅氧化层，采用干氧氧化；每个腔室内部设有多晶硅层，采用LPCVD；每个腔室外壁设有N+结，阱区，采用离子注入，注入As。N+区与P?区之间为导电沟道。通过调节多晶刻蚀，将多晶刻蚀至硅平面大致1/3以下；在N+区注入时N+位置会有所下移，缩短导电沟道的长度，达到降低阈值电压的目的。

通过天眼查大数据分析，吉林华微电子股份有限公司共对外投资了6家企业，参与招投标项目232次；财产线索方面有商标信息10条，专利信息303条，著作权信息7条；此外企业还拥有行政许可21个。

数据来源：天眼查APP

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