斯达半导获得实用新型专利授权：“一种低电感SiC功率模块”

证券之星消息，根据天眼查APP数据显示斯达半导体股份有限公司新获得一项实用新型专利授权，专利名为“一种低电感SiC功率模块”，专利申请号为CN202522446680.6，授权日为2026年11月10日。

专利摘要：本实用新型涉及电力电子技术领域，具体涉及一种低电感SiC功率模块，包括铜基板；覆铜陶瓷基板，固定于铜基板上；至少一个功率芯片，固定于覆铜陶瓷基板上；外壳，固定于铜基板上，且围设于覆铜陶瓷基板的周侧；功率端子，固定于外壳（4）上，功率端子包括第一输入功率端子、第二输入功率端子以及输出功率端子；第一输入功率端子与第二输入功率端子在垂直于铜基板的方向上层叠布置，且第一输入功率端子与第二输入功率端子之间具有与外壳一体成型的绝缘壁。本实用新型通过将正负输入功率端子垂直层叠，并利用一体成型绝缘壁实现磁耦合优化，大幅降低回路寄生电感，有效抑制开关电压过冲与振荡，保障SiC器件高频性能并提升模块功率密度及可靠性。

通过天眼查大数据分析，斯达半导体股份有限公司共对外投资了13家企业，参与招投标项目45次；财产线索方面有商标信息3条，专利信息310条；此外企业还拥有行政许可10个。

数据来源：天眼查APP

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