芯联集成获得发明专利授权：“沟槽型MOSFET及其制作方法”

证券之星消息，根据天眼查APP数据显示芯联集成电路制造股份有限公司新获得一项发明专利授权，专利名为“沟槽型MOSFET及其制作方法”，专利申请号为CN202311447994.7，授权日为2026年11月13日。

专利摘要：本发明提供一种沟槽型MOSFET的制作方法。该沟槽型MOSFET的制作方法包括：提供基底，基底的第一阱区顶部具有导电类型相反的第一掺杂区和第二掺杂区，第一掺杂区从第一方向隔断第二掺杂区；在基底顶部形成沟槽，沟槽沿第二方向伸长且贯穿第二掺杂区，沟槽的深度大于第一掺杂区的深度，沟槽的第一部分与第一掺杂区邻接，沟槽的第二部分与第二掺杂区邻接；在沟槽的第一部分内形成掺杂屏蔽层，掺杂屏蔽层的形成区域覆盖第一部分的内表面；在沟槽内形成栅电极和位于沟槽内表面与栅电极之间的栅介质层。由于掺杂屏蔽层不需要通过高能离子注入工艺形成，可以提高离子注入机台的产能，且可以降低器件的工艺难度。本发明还提供一种沟槽型MOSFET。

通过天眼查大数据分析，芯联集成电路制造股份有限公司共对外投资了20家企业，参与招投标项目1761次；财产线索方面有商标信息18条，专利信息870条，著作权信息3条；此外企业还拥有行政许可43个。

数据来源：天眼查APP

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